Precursores de deposición en solución y vapor

Ofrecemos una amplia gama de productos químicos inorgánicos y organometálicos de gran pureza diseñados específicamente para procesos en solución, deposición química en fase vapor (CVD), deposición química en fase vapor metal-orgánico (MOVCVD) y aplicaciones de deposición de capas atómicas (ALD). Nuestros materiales son de alta calidad, con purezas que oscilan entre el 99% y el 99,9999%. Esta variada selección de precursores de deposición está diseñada para satisfacer todas sus necesidades de investigación, ya sea para experimentos a escala de banco, proyectos a escala piloto o fabricación. Nuestra completa cartera incluye:
|
|
Precursores de deposición en solución
La aplicación de precursores de deposición en solución, comúnmente denominados precursores sol-gel, se ha ampliado significativamente para abarcar una gran variedad de procesos químicos. En la actualidad, este método se define ampliamente como la creación de materiales sólidos, incluidos óxidos metálicos, nanoestructuras, cerámica densa o vidrio, y películas finas derivadas de soluciones precursoras. Nuestros precursores de deposición en solución están diseñados para proporcionar una consistencia y fiabilidad sin precedentes mediante el control meticuloso de las impurezas metálicas traza. Entendemos que el mantenimiento de una alta pureza en los precursores sol-gel es crucial para lograr las propiedades y la funcionalidad deseadas de los materiales finales.
Precursores sol-gel.

Ofrecemos 55 metales base diferentes, con:
- Metales traza de pureza ultra alta que oscilan entre el 99,9% y el 99,999% para un rendimiento de investigación superior.
- Funcionalidades disponibles como acetato, acetilacetonato, terc-butóxido, isopropoxido, fenoxido, etoxido, tri-sec-butóxido, metóxido y 2-etilhexanoato.
- Consistent quality with comprehensive specifications tailored for various applications.
- High solubility in appropriate solvents to facilitate the creation of homogeneous solutions for the sol-gel process.
Deposición química en fase vapor (CVD)/deposición en capa atómica (ALD)

Los precursores de la deposición de capas atómicas (ALD) y la deposición química en fase vapor (CVD) desempeñan un papel fundamental en la fabricación de capas nanométricas de metales, semiconductores y materiales aislantes. Estos procesos son vitales para la electrónica avanzada, los paneles solares eficientes, los dispositivos de memoria, los chips informáticos y una gran variedad de aplicaciones de alto rendimiento.
Sabemos que seleccionar los precursores adecuados para CVD y ALD es esencial para producir películas finas de alta calidad. La química de un precursor influye en la composición, estructura y funcionalidad de la película. Deben evaluarse cuidadosamente factores críticos como la pureza, la volatilidad, la estabilidad térmica y la reactividad con la superficie del sustrato, todo lo cual afecta a la cristalinidad, el grosor y la morfología de la superficie de la película.
Para satisfacer estas necesidades, ofrecemos precursores de alta pureza (99% a 99,999% de base de metales traza) diseñados para minimizar las impurezas que podrían afectar negativamente a las propiedades de la película. Nuestros precursores están formulados para ser termoestables a las temperaturas de deposición y reactivos con el sustrato, lo que garantiza una deposición óptima de la película. Con estas cualidades superiores de los materiales, nos comprometemos a respaldar sus requisitos específicos de investigación y aplicación, permitiéndole conseguir películas finas precisas y de alta calidad.
Precursores de alta calidad.
Precursores para deposición física en fase vapor (PVD)
La deposición física en fase vapor (PVD) es una técnica que emplea material vaporizado procedente de fuentes sólidas para depositar películas finas sobre sustratos. Suministramos cátodos para sputtering de alta pureza, pellets, láminas metálicas y lingotes de evaporación adaptados a una amplia gama de aplicaciones de PVD. Estas aplicaciones abarcan dispositivos microelectrónicos, electrodos de baterías, barreras de difusión y revestimientos ópticos, garantizando resultados de alto rendimiento en diversos sectores industriales.

Precursores envasados para sistemas de deposición
Ofrecemos precursores ALD de alta calidad envasados de forma segura y cómoda en robustos cilindros de acero, que garantizan la compatibilidad con una gran variedad de sistemas de deposición. Cada cilindro está equipado con válvulas de precisión, lo que permite controlar el flujo de material hacia la cámara de deposición, mejorando así la eficiencia y la seguridad operativas.
Los precursores de ALD se envasan de forma segura en robustos cilindros de acero.
Aplicaciones
La CVD es una técnica líder en nanoelectrónica, que permite la síntesis de nanomateriales de alta calidad esenciales para mejorar el rendimiento y la miniaturización de los dispositivos electrónicos. El CVD se utiliza ampliamente para producir nanotubos de carbono (CNT), nanotubos de nitruro de boro (BNNT), grafeno y óxidos metálicos como el SnO₂ y el ZnO, que son fundamentales para desarrollar dispositivos eficientes y ultrapequeños.
Ejemplo: Los dicalcogenuros de metales de transición (TMD) bidimensionales (2D) son especialmente importantes debido a sus excepcionales propiedades electrónicas y ópticas, y el CVD desempeña un papel clave en el crecimiento de películas finas de alta calidad que optimizan el rendimiento de los dispositivos, en el que influyen factores como el número de capas, el tamaño de grano, la orientación y la morfología. El CVD es fundamental para el crecimiento preciso de estos materiales, garantizando un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones. Además, los nanomateriales basados en carburo de silicio (SiC) están ganando adeptos por sus superiores propiedades mecánicas, térmicas y eléctricas, adecuadas para diversas aplicaciones. Los recientes avances en los procesos CVD y sol-gel han mejorado aún más la fabricación de nanoestructuras de SiC, dando lugar a dispositivos de alto rendimiento como transistores y sensores capaces de funcionar en condiciones extremas.
En resumen, el CVD es una técnica crucial que impulsa los avances en nanoelectrónica, energías renovables y nanotecnología. Permite la creación precisa de películas finas y nanoestructuras, esenciales para células solares de alto rendimiento, dispositivos de almacenamiento de energía y componentes de pilas de combustible en energías renovables. En electrónica, el CVD facilita el crecimiento de materiales para transistores avanzados, sensores y microdispositivos. Además, desempeña un papel vital en la síntesis de nanomateriales para aplicaciones como la administración de fármacos y materiales innovadores. Al abordar los retos de la síntesis y la integración de materiales, el CVD allana el camino para futuras innovaciones tecnológicas.
Recursos relacionados
- Brochure: High-Purity Materials for Molten Salt Applications
We offer a wide range of high-purity, low moisture salts in both powdered and beaded forms, with trace metal purities ranging from 99.9% to 99.999% as measured by ICP-MS or coupled ICP-OES.
- Brochure: Deposition & Semiconductor Materials
Explore our broad range of high-quality and dependable thin film deposition precursor and semiconductor materials as per your chosen method and application.
- High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
- Atomic Layer Deposition (ALD)
Atomic layer deposition (ALD) showcases innovation in novel structure synthesis, area-selective deposition, low-temperature deposition, and more.
- Group 11 Thin Films by ALD
Copper metal deposition processes are an essential tool for depositing interconnects used in microelectronic applications, giving group 11 (coinage metals: Copper, Silver, and Gold) an important place in atomic layer deposition (ALD) process development.
- Few Monolayer Atomic Layer Deposition (ALD) on Surfaces and Interfaces for Energy Applications
Few Monolayer Atomic Layer Deposition (ALD) on Surfaces and Interfaces for Energy Applications
- Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry
atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer
Para seguir leyendo, inicie sesión o cree una cuenta.
¿No tiene una cuenta?