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Merck

203319

Gallium

99.9995% trace metals basis

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Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
Ga
Número CAS:
7440-55-3
Peso molecular:
69.72
UNSPSC Code:
12141715
eCl@ss:
38120701
PubChem Substance ID:
24852163
NACRES:
NA.23
MDL number:
MFCD00134045

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SMILES string

[Ga]

InChI

1S/Ga

InChI key

GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N

assay

99.9995% trace metals basis

Quality Level

100

form

(chips, chunks), (metallic liquid or solid (ambient temp dependent))

resistivity

25.795 μΩ-cm, 30°C

bp

2403 °C (lit.)

mp

29.8 °C (lit.)

density

5.904 g/mL at 25 °C (lit.)

storage temp.

2-8°C

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Application

The wide liquid range of gallium was exploited recently when it was used as a solvent for the successful synthesis of ternary silicides, SmNiSi3 and YNiSi3, without incorporating Ga in their structure -- a promising new synthetic method.

pictograms

CorrosionExclamation mark
GHS05,GHS07

signalword

Warning

Hazard Classifications

Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Chronic 3 - Met. Corr. 1

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

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Lot/Batch Number
MKCZ2024
MKCX7562
MKCV1772
MKCS1540
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Chen, X.Z. et al.
Chemistry of Materials, 11, 75-75 (1999)
Christopher R Chitambar
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Optics express, 21(3), 2733-2740 (2013-03-14)
Self-assembled GaN rods were grown on sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy using a simple two-step method that relies first on a nitridation step followed by GaN epitaxy. The mask-free rods formed without any additional catalyst. Most of the vertically
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Metal ions in biological systems, 42, 425-462 (2004-06-23)
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