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Merck

T24007

Tetramethylsilane

NMR grade, ACS reagent, ≥99.9%

Synonyme(s) :

TMS

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A propos de cet article

Formule linéaire :
Si(CH3)4
Numéro CAS:
75-76-3
Poids moléculaire :
88.22
UNSPSC Code:
12352103
NACRES:
NA.22
PubChem Substance ID:
329826705
EC Number:
200-899-1
Beilstein/REAXYS Number:
1696908
MDL number:
MFCD00008274
Grade:
ACS reagent
Assay:
≥99.9%
Technique(s):
NMR: suitable
Bp:
26-28 °C (lit.)
Vapor pressure:
11.66 psi ( 20 °C)

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Nom du produit

Tetramethylsilane, NMR grade, ACS reagent, ≥99.9%

InChI

1S/C4H12Si/c1-5(2,3)4/h1-4H3

SMILES string

C[Si](C)(C)C

InChI key

CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N

grade

ACS reagent

vapor pressure

11.66 psi ( 20 °C)

assay

≥99.9%

form

liquid

autoignition temp.

842 °F

expl. lim.

0.34-6.3 %

technique(s)

NMR: suitable

evapn. residue

≤0.05%

refractive index

n20/D 1.358 (lit.)

bp

26-28 °C (lit.)

mp

−99 °C (lit.)

density

0.648 g/mL at 25 °C (lit.)

storage temp.

2-8°C

Quality Level

200

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Catégories apparentées

Application

Tetramethylsilane can be used as:
  • A precursor to synthesize α-SiC by chemical vapor deposition.
  • A reactant to synthesize 1,3,5,7-tetramethyladamantane from adamantane in the presence of aluminum chloride and dichloromethane.
  • A solvent for the hydroaminomethylation of 1-octene with morpholine.
  • A methylating reagent for the conversion of germanium tetrachloride to tetramethylgermanium, trimethylgermanium chloride, dimethylgermanium dichloride or methylgermanium trichloride.

pictograms

Flame
GHS02

signalword

Danger

hcodes

H224

Hazard Classifications

Flam. Liq. 1

Classe de stockage

3 - Flammable liquids

wgk

WGK 3

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Tetramethylsilane in synthesis: selective mono-and polymethylations of germanium tetrachloride
Bordeau M, et al.
Organometallics, 1087-1089, 4-4 (1985)
A novel approach to selecting thermomorphic multicomponent solvent systems (TMS) for hydroaminomethylation reactions
Behr A, et al.
Chemical Engineering and Processing, 69, 15-23 (2013)
Synthesis of alpha-SiC from tetramethylsilane by chemical vapor deposition at high temperature
Jeong S, et al.
Applied Physics Express, 7, 025501-025501 (2014)
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