基板および電子部品
当社の基板および既製電子部品は、新規開発された半導体材料の特性評価や、化学・生物学的分析対象物質を検出するための高性能なFETベースのセンサーの構築にかかる処理時間を大幅に短縮することを目的としています。お好みの半導体層を塗布するだけでご利用いただけます。
- 当社のシリーズである、あらかじめパターン化されたバックゲート型インターディジテッド電極を使用すれば、電界効果トランジスタ（FET）を迅速に構築できます。 これらの電極は、標準的なリフトオフ技術を用いて導電性シリコンウェハー上にあらかじめ形成されており、信頼性の高いオーム接触のソース／ドレイン、非常に大きなチャネル幅対長さ比（500～4000）、および選択可能なさまざまな誘電体厚さやデバイスアーキテクチャを特徴としています。
- 当社のバックゲート型ラテラル有機電界効果トランジスタ（LOFET）回路は、リング発振器の周波数測定のみを必要とするため、個々のトランジスタの測定や分析にかかる時間を省き、活性材料の特性評価をさらに簡素化します。
Products
- 当社の「Miniprober」を使用して、完成したデバイスの測定を行ってください。この装置を使用すれば、プローブステーションを必要とせず、信頼性の高いパッド接触により、迅速かつ簡単にデバイスの測定を行うことができます。
- また、ホールバーデバイス、2プローブFET、または液体ゲート型2プローブFETの構成を持つ既製のグラフェンチップもご用意しており、お客様のグラフェンセンサーの研究や応用開発を迅速に推進します。
- ナノデバイスおよびナノ材料の特性評価には、さまざまなグリッド材料、メッシュサイズ、グリッド構成、コーティング材料およびコーティング厚さ、染色用試薬、試料調製ツールを取り揃えた当社の TEM グリッドおよび消耗品をお選びください。
- 当社の幅広い電気化学コンポーネントのラインナップには、取り扱いが容易な形状の各種水系および非水系の参照電極に加え、作業電極、対極、補助電極などが揃っています。
関連リソース
- パンフレット：グラフェンFET「GRFETS10」の製品情報
基本的な取り扱い手順および試験手順
- パンフレット：グラフェンFET GRFETS20のユーザープロトコル
基本的な取り扱い手順および試験手順