Saltar al contenido
Merck

553468

Tris(tert-butoxy)silanol

99.999%

Sinónimos:

TBS

Iniciar sesión para ver los precios por organización y contrato.

Seleccione un Tamaño

Cambiar Vistas

Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
((CH3)3CO)3SiOH
Número CAS:
Peso molecular:
264.43
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352103
MDL number:
Servicio técnico
¿Necesita ayuda? Nuestro equipo de científicos experimentados está aquí para ayudarle.
Permítanos ayudarle


assay

99.999%

form

solid

bp

205-210 °C (lit.)

mp

63-65 °C (lit.)

SMILES string

CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/C12H28O4Si/c1-10(2,3)14-17(13,15-11(4,5)6)16-12(7,8)9/h13H,1-9H3

InChI key

HLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N

General description

Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.

Application

Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films. Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.


Still not finding the right product?

Explore all of our products under


Clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

wgk

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)



Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos



Vapor deposition of metal oxides and silicates: Possible gate insulators for future microelectronics.
Gordon G, et al.
Chemistry of Materials, 13(8), 2463-2464 (2001)
Rapid SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(tert-pentoxy)silanol.
Burton B, et al.
Chemistry of Materials, 20, 7031-7043 (2008)
Rapid vapor deposition of highly conformal silica nanolaminates.
Hausmann D, et al.
Science, 298(5592), 402-406 null