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Merck

O806

1-Octadecene

technical grade, 90%

Sinónimos:

ODE

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Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
CH3(CH2)15CH=CH2
Número CAS:
112-88-9
Peso molecular:
252.48
UNSPSC Code:
12352100
NACRES:
NA.22
PubChem Substance ID:
24898054
EC Number:
204-012-9
Beilstein/REAXYS Number:
1761067
MDL number:
MFCD00009003
Assay:
90%

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InChI key

CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N

InChI

1S/C18H36/c1-3-5-7-9-11-13-15-17-18-16-14-12-10-8-6-4-2/h3H,1,4-18H2,2H3

SMILES string

CCCCCCCCCCCCCCCCC=C

grade

technical grade

vapor density

0.71 (vs air)

assay

90%

autoignition temp.

482 °F

refractive index

n20/D 1.444 (lit.)

bp

314.4 +/- 5.0 °C/760 mmHg (lit.), 179 °C/15 mmHg (lit.), 314.4 °C±5.0 °C/760 mmHg (lit.)

mp

14-16 °C (lit.)

density

0.789 g/mL at 25 °C (lit.)

Quality Level

100

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General description

1-Octadecene is a long-chain hydrocarbon used in the synthesis of nanoparticles as a capping and reducing agent.

Application

1-Octadecene has been commonly used as a non-coordinating solvent for growing nanoparticles and quantum dots due to its high boiling point. The 1-octadecene monolayer is a promising passivating coating in nanoelectronics due to its stability and chemical protection against oxidation, effects of acids and bases without altering the properties.

Other Notes

Contains 2-octyl-1-decene, n-octadecane, 2-butyl-1-tetradecene, 2-hexyl-1-dodecene

pictograms

Health hazard
GHS08

signalword

Danger

hcodes

H304

Hazard Classifications

Asp. Tox. 1

supp_hazards

EUH066

Clase de almacenamiento

10 - Combustible liquids

wgk

WGK 3

flash_point_f

300.2 °F - closed cup

flash_point_c

149.00 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Gloves

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Lot/Batch Number
SDBB7557
WXBF7618V
WXBF7544V
WXBF6770V
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Xiao-Shuai Zhang et al.
Journal of nanobiotechnology, 16(1), 42-42 (2018-04-21)
Ag2S has the characteristics of conventional quantum dot such as broad excitation spectrum, narrow emission spectrum, long fluorescence lifetime, strong anti-bleaching ability, and other optical properties. Moreover, since its fluorescence emission is located in the NIR-II region, has stronger penetrating
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Antonova IV
Semiconductors, 41(8), 991-997 (2007)
Haizhou Lu et al.
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Infra-red emission (980 nm) of sub 10 nm Yb
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Wang F
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