415405
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)マンガン(II)
別名:
Decamethylmanganocene
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この商品について
化学式:
Mn(C5(CH3)5)2
CAS番号:
分子量:
325.39
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352103
MDL number:
InChI
1S/2C10H15.Mn/c2*1-6-7(2)9(4)10(5)8(6)3;/h2*1-5H3;
SMILES string
[Mn].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C.C[C]2[C](C)[C](C)[C](C)[C]2C
InChI key
ALEXWXWETMUIKL-UHFFFAOYSA-N
form
solid
reaction suitability
core: manganese
mp
230 °C (dec.) (lit.)
保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Momose, T.
Jpn J. App. Phys., Part I, 51, 056502-056501 (2012)
資料
Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.
Atomic layer deposition meets various needs including semiconductor device miniaturization and nanoparticle coating.
原子層堆積法は、半導体デバイスの微細化やナノ粒子のコーティングなど、さまざまなニーズに対応しています。
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