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この商品について
form
nanopowder
Quality Level
composition
In2O3, 90% , SnO2, 10%
surface area
27 m2/g
particle size
<50 nm
mp
1910 °C (lit.)
density
1.2 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES string
O=[SnH2].O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O.O=[In]O[In]=O
InChI
1S/2In.5O.Sn
InChI key
LNNWKAUHKIHCKO-UHFFFAOYSA-N
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wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
Hazard Classifications
STOT RE 1 Inhalation
target_organs
Lungs
signalword
Danger
hcodes
保管分類
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
第一種指定化学物質
prtr
名称等を表示すべき危険物及び有害物
ishl_indicated
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
544876-VAR: + 544876-5G:4548173313146 + 544876-25G:4548173313139 + 544876-BULK:
jan
資料
Review the potential of self-assembled multilayer gate dielectric films fabricated from silane precursors for organic, inorganic, and transparent TFT and for TFT circuitry and OLED displays.
TiO2 exhibits wide band gap semiconductor and memristor properties electronically, with high opacity and UV absorbance optically.
TiO2は、電子工学的には広いバンドギャップ半導体とメモリスタ特性を示し、光学的には高い不透明性と紫外吸収性を示します。
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This thematic issue focuses on the emerging applications of nanomaterials. Nanomaterials are defined as substances with at least one dimension smaller than 100 nm.
