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Merck

698997

ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)

regioregular, average Mn 54,000-75,000, electronic grade, 99.995% trace metals basis

別名:

Plexcore® OS 2100, P3HT

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この商品について

化学式:
(C10H14S)n
CAS番号:
UNSPSC Code:
12352103
MDL number:
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grade

electronic grade

assay

99.995% trace metals basis

form

solid

mol wt

average Mn 54,000-75,000

description

(>98% head-to-tail regioregular (HNMR))

mp

238 °C

orbital energy

HOMO 5 eV , LUMO 3 eV 

OPV device performance

ITO/NiO/P3HT/PC61BM/LiF/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 11.3 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.64 V
  • Fill Factor (FF): 0.69
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5.16 %
, ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM (1:08)/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 9.5 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.63 V
  • Fill Factor (FF): 0.68
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 5 %

Mw/Mn

≤2.5

semiconductor properties

P-type (mobility=10−4 - 10−1 cm2/V·s)

General description

LUMO = 3.1 eV
Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) is a regioregular semiconducting polymer. It is used in organic electronics primarily because of its regular end-to-end arrangement of side chain, which allows efficient Π-Π stacking of the conjugated backbones. On account of the alkyl side group, P3HT is rendered hydrophobic in neutral state.

Application

High molecular weight; ultra-high purity P3HT optimized for use in organic photovoltaics (OPV) research and devices. Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) may be used extensively as a semiconducting layer in organic thin film field effect transistor (FETs) and solar cells.,2

Legal Information

Plextronics社の製品です。米国特許第6,166,172号。
Plexcore is a registered trademark of Plextronics, Inc.


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pictograms

Exclamation mark

signalword

Warning

Hazard Classifications

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

target_organs

Respiratory system

保管分類

11 - Combustible Solids

wgk

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves



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Instructions


"Control of active semiconducting layer packing in organic thin film transistors through synthetic tailoring of dielectric materials
Singh R, et al.
Royal Society of Chemistry Advances, 4(56), 29383-29392 (2014)
High sensitivity organic photodiodes with low dark currents and increased lifetimes
Ramuz, M.; Burgi, L.; Winnewisser, C.; et al.
Organic Electronics, 9, 369-376 (2008)
Flexible Transistors Exploiting P3HT on Paper Substrate and Graphene Oxide Film as Gate Dielectric: Proof of Concept.
Valentini L, et al.
Science of Advanced Materials, 5(5), 530-533 (2013)