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この商品について
InChI key
XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N
InChI
1S/3CH3.Ga/h3*1H3;
SMILES string
C[Ga](C)C
Quality Level
reaction suitability
core: gallium
bp
92.5 °C/760 mmHg (lit.)
mp
-15.8 °C (lit.)
density
1.132 g/mL at 25 °C
General description
Application
- A precursor to synthesize β-gallium oxide (β-Ga₂O₃) thin films for high-power electronic devices, offering superior breakdown voltage and thermal stability.
- A precursor for epitaxial growth of gallium nitride (GaN) in blue LEDs and laser diodes, enabling high-brightness displays and optical communication systems.
- A component in colloidal quantum dot synthesis for tunable near-infrared LEDs in biomedical imaging and telecommunications.
- A source material for gallium arsenide (GaAs) layers in high-electron-mobility transistors (HEMTs), critical for 5G millimeter-wave amplifiers.
signalword
Danger
hcodes
supp_hazards
保管分類
4.2 - Pyrophoric and self-heating hazardous materials
wgk
WGK 3
Hazard Classifications
Eye Dam. 1 - Pyr. Liq. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react. 1
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
730734-10G: + 730734-VAR: + 730734-BULK:
jan
資料
Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.
The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.
Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.
Nanomaterials are considered a route to the innovations required for large-scale implementation of renewable energy technologies in society to make our life sustainable.
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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