form
solid
mol wt
average Mw 40,000-60,000 by GPC
color
dark blue
mp
>200 °C
λmax
820 nm (thin film)
orbital energy
HOMO 5.2 eV
OFET device performance
Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min
PDI
2.5‑3.0
General description
PDPP2T-TT-ODはチオフェンに基づく導電性ポリマーであり、ジケトピロロピロール(DPP)が電子不足基、オクチルドデシルがペンダントアタッチメントとして機能します。その構造には、DPP-チオフェンと可変性ビチオフェン(2T)があります。有機エレクトロニクスに基づく機器の開発に役立つ高い電荷保持移動性を有します。
Application
Xerox社は、n-型ドーピングを施したシリコンウェーハを用いてデバイ性能のデモを行いました。このウェーハは100 - 300 nmのネイティブSiO2誘電体被膜を持ち、この被膜はオクタデシルトリクロロシランの自己組織化モノレイヤで修飾されています。
XSC4pによる被覆にはスピンコーティング法(0.5 – 0.7 wt. %のポリマー溶液、1000 rpm- 60 sec)を用いました。フィルムを真空オーブン(80℃、10 min)で乾燥させてから加熱アニーリング(140 °C、10 min)を行いました。
ソース-ドレイン金電極の沈着には、シャドーマスク(90μmチャンネル)と真空蒸発法を用いました。
電気的特性の評価には Keithley SCS-4200システムを使用しました。報告された移動度の値は試験に供した4デバイスの平均飽和移動度の標準偏差を
表しています。
XSC4pによる被覆にはスピンコーティング法(0.5 – 0.7 wt. %のポリマー溶液、1000 rpm- 60 sec)を用いました。フィルムを真空オーブン(80℃、10 min)で乾燥させてから加熱アニーリング(140 °C、10 min)を行いました。
ソース-ドレイン金電極の沈着には、シャドーマスク(90μmチャンネル)と真空蒸発法を用いました。
電気的特性の評価には Keithley SCS-4200システムを使用しました。報告された移動度の値は試験に供した4デバイスの平均飽和移動度の標準偏差を
表しています。
PDPP2T-TT-ODは、有機薄膜トランジスター(OTFT)、光起電力電池、ポリマー太陽電池および電界効果トランジスター(FET)などのさまざまな機器の製造に使用可能なπ-共役ポリマーとして使用できます。
Legal Information
Xerox社®の製品です。Xerox®はXerox Corporationの登録商標です。
Xerox is a registered trademark of Xerox Corporation
signalword
Warning
hcodes
Hazard Classifications
Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
target_organs
Respiratory system
保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
