ホスフィン配位子

ホスフィン配位子は、その電子的および立体的な性質を変化させることができるため、クロスカップリング反応において最も重要な配位子群です。配位子は、中心金属原子の安定化および活性化において重要な役割を果たしており、遷移金属触媒を用いたクロスカップリング反応などで利用されています。研究では、触媒性能を向上させるため、より効果的な配位子の開発に焦点が当てられています。 当社は、一座型ホスフィン配位子およびその前駆体、二座型ホスフィン配位子およびその前駆体、キラル配位子、ブッフヴァルト配位子、cataCXium®配位子、DalPhos配位子など、これまでにない幅広い製品ラインナップを提供しています。
Products
単座ホスフィン配位子および前駆体
一座性ホスフィン配位子は、金属と相互作用できるホスフィン原子が1つしかない化合物です。これらの配位子は合成が難しくなく、容易に修飾が可能です。一座性ホスフィンの柔軟性により、特定の活性や選択性を実現することが困難な反応においても利用することができます。 当社は、お客様の研究ニーズに応えるため、リン原子上の中心キラル性、バイアリール軸キラル性、平面キラル性など、多種多様な配位子モチーフをご用意しています。
二座ホスフィン配位子および前駆体
二座ホスフィン配位子および前駆体(ジホスフィンとも呼ばれる)は、側鎖で連結された2つのホスフィン原子を有する配位子によって特徴付けられます。通常、この側鎖は2~4個の炭素からなり、金属とAフレーム型錯体を形成します。 多くの二座ホスフィン配位子および前駆体は、合成過程でキラルな配位子を導入できるよう設計されています。これらの配位子は非常に安定しており、他の配位子では達成できなかった望ましい合成を可能にする、高活性かつ高選択性の系を形成することができます。
ブッフヴァルト配位子
ブッフヴァルト配位子は、嵩高い電子豊富なジアルキルビアリールホスフィンであり、パラジウム触媒反応における反応性を向上させることが知られている。配位子の構造は、配位子に含まれる触媒の効率と直接相関している。ブッフヴァルト研究グループは、これらの配位子の開発と改良を継続しており、特定の反応に最適化された配位子の創製につながっている。
cataCXium®リガンド
cataCXium®リガンドは、パラジウム触媒を用いたクロスカップリング反応において極めて効果的なリガンドである。cataCXium® Aとして知られるジアダマンチルアルキルホスフィンは、かさ高で電子豊富なホスフィンリガンドであり、ヘックカップリングや鈴木カップリング、アリールクロリドのブッフヴァルト・ハートウィグアミナーゼ反応、およびケトンのα-アリル化反応に用いられる。 これらの配位子を用いることで、穏やかな条件下で低触媒負荷量での反応が可能となります。最近では、ホスフィノ置換N-アリールピロール(cataCXium® P)を特徴とする、塩基性で立体障害のある別のクラスのホスフィンが、電子豊富なアリールクロリドおよび電子欠乏なアリールクロリドの両方に対する鈴木カップリングにおいて、高い触媒ターンオーバー数を示しています。
DalPhos 配位子
DalPhosリガンドの骨格には、嵩高いジ(1-アダマンチル)ホスフィノ[P(1-Ad)₂]フラグメントが共通して含まれています。これらのN,Pキレートリガンドは、Pd触媒によるC–NおよびC–C結合の形成に有用です。反応性の高いMor-DalPhosは、室温でのアンモニアカップリングの適用範囲と有用性を向上させ、ヒドラジンやアセトンのカップリングにも有効です。
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