高純度金属

高純度金属とは、不純物を除去するために精製された金属のことで、その結果、目的の金属元素の含有率が通常99.9%以上となります。当社の金属精製に関する専門知識により、99.999%(5N)以上の純度を持つ300種類以上の高純度金属からなる、最高純度のアルカリ土類金属および希土類金属の製造が可能となっています。
高純度金属は、エレクトロニクス、太陽光発電、量子デバイス、およびエネルギー分野などで使用されています。これらの金属は、粉末、箔、線材、スパッタリングターゲットなど、さまざまな形態で提供されており、学術分野および産業分野の両方における厳しい純度要件を満たすように設計されています。

エレクトロニクスおよび半導体分野における高純度金属
セレン粉末
セレン粉末は、高い比表面積、微細な粒子径、優れた光伝導特性を備えており、太陽エネルギー、エレクトロニクス、化学製造分野での用途に最適です。太陽光発電、エレクトロニクス、顔料などの業界では、セレン粉末を用いて薄膜太陽電池の製造、半導体デバイスの生産、特殊ガラスへの意図的な着色を行っています。
セレン箔
セレン箔は、セレンの光伝導性と化学的安定性に、光を遮断する微細構造を組み合わせることで、完全な光学的遮断を実現しています。検出器、センサー、光学機器のほか、航空宇宙分野や医療用画像診断分野でも使用されており、高コントラスト画像システム、暗所環境を必要とする分光計、光学試験チャンバーなどに活用されています。
銀棒
銀棒は、優れた電気伝導性と熱特性で知られる高純度材料です。効率的なエネルギー伝達と低抵抗が求められる実験において、電極、電気接点、および導電性材料の製造に使用されます。
テルル粉末
テルル粉末は、高い熱伝導率と電気伝導率を備えています。加工性を向上させるためのステンレス鋼や銅の添加剤として、また太陽光を電気に変換する太陽光発電パネルに広く使用されています。
亜鉛粉末
亜鉛粉末は半導体の製造に使用され、酸化亜鉛膜の製造においてドーパント材料として機能します。
銅箔
銅箔は、プリント基板(PCB)、電磁波シールド、および化学気相成長(CVD)の基板として使用されます。

電池に使用される高純度金属
リチウム箔
リチウム箔は、リチウム電池や合金製造に使用されます。また、遮光性があり、酸化防止にも利用できます。さらに、リチウム箔はエネルギー貯蔵、航空宇宙用合金、医薬品分野でも使用されています。
グラファイト
グラファイト棒は、燃料電池、電池、電解などの電気化学的用途において、高温、不活性、または真空環境下で使用されます。その優れた導電性と耐熱性により、電極、炉内の発熱体、熱分析装置の部品として理想的です。

オプトエレクトロニクスにおける高純度金属
ガリウム
ガリウムは金属状の液体または固体として存在し、この独特な性質により、特にエレクトロニクスやオプトエレクトロニクス分野において、さまざまな用途に利用されています。その高純度(微量金属含有率ベースで99.999%)は、半導体の製造、LED技術、および太陽電池パネルの製造に活用されています。

線量計に使用される高純度金属
インジウム箔
インジウム箔は、中性子捕獲反応に対する断面積が大きいため、原子力施設において熱中性子を捕獲するために広く使用されています。また、被ばく量を測定するための線量計にも使用されています。

合成における高純度金属
カルシウム金属の顆粒は、ウランやトリウムをはじめとするさまざまな金属の製造において、還元剤として広く使用されています。また、航空宇宙産業や自動車産業で一般的に使用されているアルミニウム合金の製造においても、不可欠な成分となっています。
パラジウム
パラジウム粉末は、様々な有機反応のための多様な不均一系パラジウム触媒の調製に使用されます。また、パラジウム粉末は、電気機器、歯科用材料、体内埋め込み型医療機器、自動車用触媒などにも使用されています。
関連リソース
- Article: Self-Propagating Reactions Induced by Mechanical Alloying
Mechanical alloying is a “brute force” method of affecting alloying and chemical reactions. The mixture of reactant powders and several balls are placed in the milling jar of a high-energy ball mill, for example, a shaker mill or a planetary mill.
- Article: Titania Nanotubes: Synthesis & Apps
TiO2は、電子工学的には広いバンドギャップ半導体とメモリスタ特性を示し、光学的には高い不透明性と紫外吸収性を示します。