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Merck

647535

Silicon

greener alternative

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm

Sinónimos:

Silicon element

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Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
Si
Número CAS:
7440-21-3
Peso molecular:
28.09
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
24883543
UNSPSC Code:
12352300
EC Number:
231-130-8
MDL number:
MFCD00085311

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InChI key

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

InChI

1S/Si

SMILES string

[Si]

form

crystalline (cubic (a = 5.4037)), wafer (single side polished)

does not contain

dopant

greener alternative product characteristics

Design for Energy Efficiency
Learn more about the Principles of Green Chemistry.

sustainability

Greener Alternative Product

diam. × thickness

3 in. × 0.5 mm

Quality Level

100

matrix

silicon base material

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

density

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

greener alternative category

Enabling

semiconductor properties

<100>, N-type

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General description

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) <100 cm-2. Resistivity 1,000- 2,300 Ωcm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
We are committed to bringing you Greener Alternative Products, which belongs to one of the four categories of greener alternatives. This enabling product has been enhanced for energy efficiency. Click here for more information.

Application

Silicon wafers are majorly used in electronics as substrate materials. They are also used in a variety of applications like solar cells, microelectronics, and other integrated circuits.

wgk

nwg

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

Clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCZ3550
MKCW4829
MKCR0472
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24.7% record efficiency HIT solar cell on thin silicon wafer
Taguchi M, et al.
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Technical Physics, 56(8), 1061-1061 (2011)
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Science (New York, N.Y.), 320(5875), 507-511 (2008)
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Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
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