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Merck

647675

Silicon

greener alternative

wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

Sinónimos:

Silicon element

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Acerca de este artículo

Fórmula lineal:
Si
Número CAS:
Peso molecular:
28.09
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352300
MDL number:
NACRES:
NA.23
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InChI

1S/Si

SMILES string

[Si]

InChI key

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

form

crystalline (cubic (a = 5.4037)), wafer (single side polished)

contains

boron as dopant

greener alternative product characteristics

Design for Energy Efficiency
Learn more about the Principles of Green Chemistry.

sustainability

Greener Alternative Product

diam. × thickness

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

density

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

greener alternative category

semiconductor properties

<100>, P-type

Quality Level

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General description

0 vortex defects. Etch pitch density (EPD) < 100 (cm-2). Resistivity 10-3 - 40 Ω•cm
Oxygen content: <= 1~1.8 x 1018 /cm3; Carbon content: <= 5 x 1016 /cm3; Boule diameter: 1~8 ″
We are committed to bringing you Greener Alternative Products, which belongs to one of the four categories of greener alternatives. This enabling product has been enhanced for energy efficiency. Click here for more information.

Application

<100> Silicon wafer may be used as a substrate for the epitaxial growth of SiC, and TiN thin films.

Packaging

1EA refers to 1 wafer and 5EA refers to 5 wafers

Clase de almacenamiento

13 - Non Combustible Solids

wgk

nwg

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Epitaxial growth of TiN films on (100) silicon substrates by laser physical vapor deposition.
Narayan J, et al.
Applied Physics Letters, 61(11), 1290-1292 (1992)
Epitaxial growth of 3C?SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition.
Zorman CA, et al.
Journal of Applied Physics, 78(8), 193-198 (2014)
Chengyong Li et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(3), 2272-2275 (2013-06-13)
Mesoporous Si-C-O fibers were fabricated by air activation of a kind of carbon-rich SiC-C fibers at 600 degrees C. The SiC-C fibers were prepared from the hybrid precursor of polycarbosilane and pitch through melt-spinning, air curing and pyrolysis in nitrogen.
Bo-Soon Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3622-3626 (2013-07-19)
A subwavelength structure (SWS) was formed via a simple chemical wet etching using a gold (Au) catalyst. Single nano-sized Au particles were fabricated by metallic self-aggregation. The deposition and thermal annealing of the thin metallic film were carried out. Thermal
Min Joon Huang et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(6), 3810-3817 (2013-07-19)
In this work, we demonstrated a silicon nanowire (SiNW) biosensing platform capable of simultaneously identifying different Dengue serotypes on a single sensing chip. Four peptide nucleic acids (PNAs), specific to each Dengue serotypes (DENV-1 to DENV-4), were spotted on different

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