202118
酸化ハフニウム(IV)
powder, 98%
別名:
Hafnia, Hafnium dioxide, Hafnium oxide
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この商品について
実験式（ヒル表記法）:
HfO2
CAS番号:
分子量:
210.49
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352303
EC Number:
235-013-2
MDL number:
InChI key
CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N
InChI
1S/Hf.2O
SMILES string
O=[Hf]=O
assay
98%
form
powder
density
9.68 g/mL at 25 °C (lit.)
Quality Level
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Application
- Hafnium(IV) oxide: Utilized predominantly in the semiconductor industry, Hafnium(IV) oxide offers excellent thermal and chemical stability, which makes it suitable as a high-k gate dielectric material in metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. Its application has become increasingly important with the miniaturization of electronic components, aiding in the enhancement of transistor performance without further reducing the component size. This role is critical in the development of more efficient, faster computing technologies (Sigma-Aldrich, CAS 12055-23-1).
保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
nwg
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
202118-100G:4548173930077 + 202118-25G:4548173930084 + 202118-BULK: + 202118-VAR:
jan
資料
In recent years silicon carbide, SiC, has re-emerged as a vital technological material that is crucial in many materials and engineering applications.
炭化ケイ素は、機械的用途だけでなくエレクトロニクス用および光学用材料としても注目されている材料です。
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