Quality Segment
assay
2% (Metallic), 98% (Semiconducting)
form
solid
feature
avg. no. of layers 1
manufacturer/tradename
NanoIntegris, Inc.
L
0.3-5 μm
diameter
1.2-1.7 nm
mp
3652-3697 °C (lit.)
density
1.7-1.9 g/cm3 at 25 °C (lit.)
SMILES string
[C]
InChI key
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
General description
IsoNanotubes-S™は、アーク放電またはプラズマトーチによって生成されます。半導体単層ナノチューブの直径は1.2~1.7 nmの範囲にあり、長さは100 nm~4 μmの範囲で変化します。SWNTの純度は吸収スペクトルから決定できます。半導体SWNTの吸光度は、S22(850~1250 nm)およびS33(450~550 nm)で発生します。SWNTSの毒性挙動は、SWNTに対するヒト肝がん細胞の反応を研究することによって研究されました。
Application
これらのカーボンナノチューブはアーク放電プロセスによって生成され、密度勾配遠心分離によって精製されます。半導体SWNTは、曲げ可能な圧力センサーなど、さまざまな柔軟なウェアラブルデバイスで使用できます。研究用途には以下が含まれます。
- エレクトロニクス
- センサー
- 複合材料
- エネルギー貯蔵
- ライフサイエンスシステムの研究
Preparation Note
電気アーク放電法
Legal Information
NanoIntegris, Incの製品
IsoNanotubes-S is a trademark of NanoIntegris, Inc.
Still not finding the right product?
Explore all of our products under カーボン・ナノチューブ、単層
保管分類
11 - Combustible Solids
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified