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Merck

P1802

ペンタセン

99%

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この商品について

実験式（ヒル表記法）:
C22H14
CAS番号:
135-48-8
分子量:
278.35
UNSPSC Code:
12352103
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
24898247
EC Number:
205-193-7
Beilstein/REAXYS Number:
1912418
MDL number:
MFCD00003710

主要文書

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InChI

1S/C22H14/c1-2-6-16-10-20-14-22-12-18-8-4-3-7-17(18)11-21(22)13-19(20)9-15(16)5-1/h1-14H

InChI key

SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N

SMILES string

c1ccc2cc3cc4cc5ccccc5cc4cc3cc2c1

assay

99%

form

powder

mp

372-374 °C (subl.)

solubility

organic solvents: slightly soluble

orbital energy

HOMO 5 eV , LUMO 3 eV 

semiconductor properties

P-type (mobility=0.4-3 cm2/V·s) (on/off ratio=1E5-1E8)

Quality Level

100

OPV device performance

ITO/pentacene/C60/BCP/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 15 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.36 V
  • Fill Factor (FF): 0.5
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 2.7 %

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General description

ペンタセンは、5環式アセンファミリーの一部である多環式炭化水素の融合クラスに属します。正孔移動度が1200 cm2V−1s−1と高く、波長578 nmに蛍光吸収ピークを持つことから、主にエレクトロニクスに使用されています。
ペンタセンは一般的な有機半導体です。絶縁基板上に堆積すると、分子は組織化して多結晶膜を形成します。ペンタセン膜は、良好な輸送特性を示します。炭素骨格を包囲する水素原子は、炭素骨格自体よりも電気陰性度が低く、非局在化パイ電子雲にある程度の電子密度を与えます。また、これは大きな結晶を形成する場合があります。

Application

ペンタセンは、ポリ(4-ビニルフェノール)（PVP）で処理することで官能化でき、有機薄膜トランジスタ（OTFT）の表面エネルギーを低減させ、正孔移動度を109％増大させるために使用できます。ヨウ素ドープすることで閾値電圧を140 Vまで高めることができ、主に電界効果トランジスタの製作に使用されます。

Packaging

底の開いたガラス瓶内容物は内部に挿入され接着された円錐部に入っています。

保管分類

11 - Combustible Solids

wgk

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

P1802-5G: + P1802-VAR: + P1802-1G: + P1802-50MG: + P1802-BULK: + P1802-100MG:

jan

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試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
MKCX3201
MKCR9268
MKCR6707
MKCN6886
BCBL7879V

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The larger acenes: versatile organic semiconductors
Anthony JE
Angewandte Chemie (International Edition in English), 47(3), 452-483 (2008)
Pentacene thin-film transistors with polymeric gate dielectric.
Puigdollars J, et al.
Organic Electronics, 5(1), 67-71 (2004)
Surface Treatments of Poly (4-Vinyl Phenol) Insulator for High-Performance Pentacene Thin-Film Transistors
Jang Y, et al.
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 17(3), 522-525 (2017)
Bias stress instability in pentacene thin film transistors: Contact resistance change and channel threshold voltage shift.
Wang SD, et al.
Applied Physics Letters, 92(6), 063305-063305 (2008)
Iodine doping enabled wide range threshold voltage modulation in pentacene transistors
Wang YW, et al.
Thin Solid Films, 669(3), 29-33 (2019)
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