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この商品について
InChI key
JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N
InChI
1S/3CH3.Al/h3*1H3;
SMILES string
C[Al](C)C
vapor pressure
69.3 mmHg ( 60 °C)
description
heat of vaporization: ~41.9 kJ/mol (Dimer)
form
liquid
reaction suitability
core: aluminum
bp
125-126 °C (lit.), 127 °C/760 mmHg, 20 °C/8 mmHg, 56 °C/50 mmHg
mp
15 °C (lit.)
density
0.752 g/mL at 25 °C (lit.)
Quality Level
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General description
Application
- A chemical vapor deposition precursor to fabricate PbSe quantum dot solids for optoelectronic devices.
- An aluminum precursor for the flame synthesis of alumina nanofibers.
- A reagent for efficient synthesis of allenes.
signalword
Danger
hcodes
Hazard Classifications
Eye Dam. 1 - Pyr. Liq. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 1
supp_hazards
保管分類
4.2 - Pyrophoric and self-heating hazardous materials
wgk
nwg
flash_point_f
No data available
flash_point_c
No data available
ppe
Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
第3類:自然発火性物質及び禁水性物質 + アルキルアルミニウム + 危険等級I
fsl
名称等を表示すべき危険物及び有害物
ishl_indicated
名称等を通知すべき危険物及び有害物
ishl_notified
663301-25G: + 663301-BULK: + 663301-VAR:
jan
資料
Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.
The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.
Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.
Atomic layer deposition meets various needs including semiconductor device miniaturization and nanoparticle coating.
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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